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横店东磁申请高耦合系数耦合电感及其制备方法专利,满足具有高耦合系数和低损耗的要求

发布:2024-06-18 浏览:41

核心提示:金融界2024年3月1日消息,据国家知识产权局公告,横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“高耦合系数耦合电感及其制备方法“,公开号CN117637318A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本发明公开了一种高耦合系数耦合电感及其制备方法。高耦合系数耦合电感包括:磁体基座及嵌入磁体基座的电极组件,电极组件包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极。第一线圈,贴合于磁体基座并与电极组件背对设置,第一线圈的端部引线分别连接至第一电极和第二电极;与第一线圈磁耦合的第二线圈,第二线圈叠加于第一线圈,第二线圈的

金融界2024年3月1日消息,据国家知识产权局公告,横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“高耦合系数耦合电感及其制备方法“,公开号CN117637318A,申请日期为2022年8月。
专利摘要显示,本发明公开了一种高耦合系数耦合电感及其制备方法。
高耦合系数耦合电感包括:磁体基座及嵌入磁体基座的电极组件,电极组件包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极。
第一线圈,贴合于磁体基座并与电极组件背对设置,第一线圈的端部引线分别连接至第一电极和第二电极;与第一线圈磁耦合的第二线圈,第二线圈叠加于第一线圈,第二线圈的端部引线分别连接至第三电极和第四电极。
封装壳体,包容第一线圈和第二线圈及部分磁体基座,第一电极、第二电极、第三电极和第四电极超出封装壳体的表面。
第一线圈和第二线圈耦合连接,封装壳体将第一线圈、第二线圈及部分磁体基座包容,从而避免磁体基座的漏磁现象,满足具有高耦合系数和低损耗的要求。
本文源自金融界

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