6月2日，北方华创12英寸立式炉500台出厂仪式在亦庄总部隆重举行。
出厂500台，不仅标志着北方华创12英寸立式炉已然成为国内主流客户量产优先选择的设备，更是客户对NAURA 12英寸立式炉性能与品质广泛认可的充分证明。
北方华创立式炉的研发与技术积淀，最早可以追溯到2007年。
如今，北方华创已形成包括氧化、退火、薄膜沉积等共23种系列化立式炉设备，基本实现立式炉工艺全覆盖。
产品以高精度的温度控制能力，良好的成膜均匀性能力，以及先进的金属及颗粒污染控制技术，赢得市场高度肯定，广泛应用于逻辑、存储、功率、特色工艺、大硅片生产等半导体领域，成为国内及东南亚12英寸主流生产线的量产主力设备。
立式炉主要产品立式氧化炉立式氧化炉是在中高温下通入特定气体（O2/H2/DCE），在硅片表面发生氧化反应，生成二氧化硅薄膜的一种设备。
生成的二氧化硅薄膜可以作为集成电路器件前道的缓冲介质层、牺牲氧化层和栅氧化层。
相比较传统炉管设备，立式氧化炉优势拥有高效生产性能，高精度温度控制性能，良好成膜均匀性能，先进颗粒控制技术，完整的工厂自动化接口等。
立式退火炉立式退火炉是在中低温条件下，通入惰性气体（N2），消除硅片界面处晶格缺陷和晶格损伤，优化硅片界面质量的一种设备。
在集成电路制造工艺过程中，硅片界面处存在的电荷堆积会影响到产品的电学特性与良率。
通过退火工艺，能够良好地实现改善晶格结构的工艺目的。
低压化学气相淀积低压化学气相淀积（LPCVD）是在真空和特定温度条件下通过气体混合发生化学反应，在硅片表面淀积一层固体膜的工艺。
例如：氮化硅薄膜淀积、多晶硅薄膜淀积、非晶硅薄膜淀积、二氧化硅薄膜淀积等。
立式合金炉立式合金炉是在低温条件下，通入惰性或还原性气体（N2/H2），降低硅片表面接触电阻，增强附着力，优化硅片表面的一种设备。
在集成电路制造工艺过程中，为了使硅片表面形成的接触能够获得良好的电性能，一个可靠的具有低电阻和牢固附着的界面是非常重要的。
在测试和使用期间，任何单个接触点的失效都有可能引起整个芯片的失效。
通过合金工艺，可以使接触孔中形成理想的低电阻欧姆接触，并增强金属与二氧化硅之间的附着力。
北方华创立式炉的出现，打破了长久以来的国外垄断局面，推动了国内半导体事业的蓬勃发展。
除了立式炉工艺与等离子刻蚀（Etch）、物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、氧化/扩散、清洗、退火等半导体工艺装备外，北方华创对于国内真空领域的发展也功不可没。
● 北方华创真空2001年之前属原电子部700厂（国营北京建中机器厂），上世纪60年代为国内多条电子管生产线提供真空炉、氢气炉、排气台等核心工艺装备，奠定了中国真空电子管制造产业的基础。
● 90年代北方华创真空曾是中国主要的彩色显像管制造装备研制企业，所生产的排气炉、退火炉、封接炉等40余种关键设备大批量替代进口，对中国彩色电视机国产化贡献卓著。
● 90年代中后期，随着国家电网的升级换代，真空开关替代传统油开关，北方华创真空为真空开关管企业研制了陶瓷金属化烧结炉及一次封排真空钎焊炉等核心设备，成为中国先进的真空开关管装备供应商。
● 2000年以后，随着光伏行业的发展，北方华创真空又开始研发光伏行业用的单晶炉产品，所研制出的具有大装炉量、高自动化程度特性的单晶炉，为全球先进的单晶硅材料制造商西安隆基提供了绝大部分产能供应。
几十年来，北方华创真空公司一直担当着中国高端真空装备研发和制造先进企业的角色，为高端真空装备的国产化做出了重要贡献。
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