硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料， 90%以上的半导体产品是以硅为原材料制成的。
然而受材料本身特性的限制，硅基功率器件已经渐渐难以满足 5G 基站、新能源车及高铁等新兴应用对器件高功率及高频性能的需求。
碳化硅是第三代半导体材料，作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上，这让同性能的碳化硅器件尺寸缩小到硅基的十分之一，能量损失减少了四分之三，成为制备高压及高频器件新的衬底材料。
碳化硅器件具备广阔的应用领域和市场空间， 2019 年全球碳化硅功率器件市场规模为 5.41 亿美元，预计 2025 年将增长至 25.62 亿美元，年化复合增速约 30%。
本期的智能内参，我们推荐东兴证券的报告《碳化硅产业：已处于爆发前夜，有望引领中国半导体进入黄金时代》，解析碳化硅材料的性质特点、应用范围和市场格局。
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