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碳化硅:第三代半导体核心材料,国产替代空间广阔(碳化硅第三代半导体前景展望)

发布:2024-07-24 浏览:31

核心提示:近年来国家频繁出台政策助力第三代半导体行业发展,国内产业链逐步成熟。面向“十四五”,国家重点研发计划启动实施2021 年“新型显示与战略性电子材料”重点专项,第三代半导体是其重要内容。作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)材料被认为是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显著提高电能利用率。与硅基半导体材料相比,以碳化硅为代表的第三代半导体材料具有高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射能力等特点。新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景,碳化硅功率器件可使新能源汽车的系

近年来国家频繁出台政策助力第三代半导体行业发展,国内产业链逐步成熟。
面向“十四五”,国家重点研发计划启动实施2021 年“新型显示与战略性电子材料”重点专项,第三代半导体是其重要内容。
作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)材料被认为是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显著提高电能利用率。
与硅基半导体材料相比,以碳化硅为代表的第三代半导体材料具有高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射能力等特点。
新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景,碳化硅功率器件可使新能源汽车的系统效率更高、重量更轻及结构更加紧密,有助于节省成本以及续航里程的提升。
随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟,碳化硅功率器件行业将迎来爆发式增长。
预计碳化硅将受益于新能源汽车快速增长2021年前平缓增长,2022年迎来增长拐点、2024年开启加速增长、2026年开始全面使用。
#碳化硅#资料

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