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中欣晶圆取得有效减少硅片二次污染的处理装置及方法专利,有效解决浸没式清洗带来的问题

发布:2024-08-07 浏览:38

核心提示:金融界2024年8月4日消息,天眼查知识产权信息显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司取得一项名为“有效减少硅片二次污染的处理装置及方法“,授权公告号CN115846332B,申请日期为2022年11月。专利摘要显示,本发明公开了有效减少硅片二次污染的处理装置,包括:冲洗机构,包括清洗框架,清洗框架设置有输送清洗液的环形通道,以及在上下两侧设置有喷孔;固定机构,控制固定杆从水平状态切换成竖直状态固定硅片本体,并设置在清洗框架上;平台,为放置硅片本体的载体,并沿着清洗框架进行移动,本发明通过流动冲洗的方式代替

金融界2024年8月4日消息,天眼查知识产权信息显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司取得一项名为“有效减少硅片二次污染的处理装置及方法“,授权公告号CN115846332B,申请日期为2022年11月。
专利摘要显示,本发明公开了有效减少硅片二次污染的处理装置,包括:冲洗机构,包括清洗框架,清洗框架设置有输送清洗液的环形通道,以及在上下两侧设置有喷孔;固定机构,控制固定杆从水平状态切换成竖直状态固定硅片本体,并设置在清洗框架上;平台,为放置硅片本体的载体,并沿着清洗框架进行移动,本发明通过流动冲洗的方式代替传统的浸没式清洗,从而有效解决其浸没式清洗所带来的问题;在平台上设置其驱动机构,使得可以该固定机构和冲洗机构跟随进行工作,具有更加节能的效果,并且使得固定机构和冲洗机构两者可以同时进行配合工作,在冲洗机构清洗硅片本体表面的杂尘时,利用固定机构将硅片本体进行固定。
本文源自金融界

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