金融界 2024 年 8 月 20 日消息，天眼查知识产权信息显示，广东中图半导体科技股份有限公司取得一项名为“一种图形化复合衬底及其制备方法、LED外延片“，授权公告号 CN117219710B，申请日期为 2023 年 9 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种图形化复合衬底及其制备方法、LED外延片。
制备方法包括：在蓝宝石衬底上依次形成异质层和掩膜层；对掩膜层进行图案化处理，形成掩膜图形；基于掩膜图形，采用干法刻蚀工艺对异质层进行图案化处理，在蓝宝石衬底上形成多个凸起结构；采用湿法刻蚀工艺对裸露的蓝宝石衬底进行刻蚀，以在任意相邻两个凸起结构之间形成凹槽结构；凹槽结构的底面为蓝宝石衬底的 C 面，沿蓝宝石衬底指向凸起结构的方向，凹槽结构的侧壁向凹槽结构的中心倾斜。
采用上方案，可兼顾图形化复合衬底的凸起结构底宽以及裸露的蓝宝石衬底 C 面面积，为外延材料的形核生长提供更多表面，降低外延材料的生长难度，进而提升外延层的晶体质量。
本文源自金融界