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武汉拓材取得区熔法制备高纯铟的装置专利,很好的除去杂质得到高纯度铟

发布:2024-09-22 浏览:22

核心提示:金融界 2024 年 9 月 17 日消息,天眼查知识产权信息显示,武汉拓材科技有限公司取得一项名为“一种区熔法制备高纯铟的装置“,授权公告号 CN116287792B,申请日期为 2023 年 3 月。专利摘要显示,本发明提出了一种区熔法制备高纯铟的装置,包括中空壳体以及处于中空壳体侧壁的进气口和出气口,所述中空壳体内还设有石墨料舟,石墨料舟通过加热组件进行加热,所述石墨料舟为两端封闭、顶端开口的 U 型槽状结构,所述石墨料舟的 U 型槽内壁均布若干气孔,所述气孔通过石墨料舟内的气道连通至进气管,所述进

金融界 2024 年 9 月 17 日消息,天眼查知识产权信息显示,武汉拓材科技有限公司取得一项名为“一种区熔法制备高纯铟的装置“,授权公告号 CN116287792B,申请日期为 2023 年 3 月。
专利摘要显示,本发明提出了一种区熔法制备高纯铟的装置,包括中空壳体以及处于中空壳体侧壁的进气口和出气口,所述中空壳体内还设有石墨料舟,石墨料舟通过加热组件进行加热,所述石墨料舟为两端封闭、顶端开口的 U 型槽状结构,所述石墨料舟的 U 型槽内壁均布若干气孔,所述气孔通过石墨料舟内的气道连通至进气管,所述进气管连接至进气口。
本发明将蒸馏法制备的 3~4N 铟作为原料,可以很好的除去其中的杂质相 Fe、Co、Ni、Cu 等,得到纯度为 6~8N 的铟。
本文源自金融界

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