近年来，上海微电子自主研发的90nm光刻机频繁遭受外界的嘲笑与质疑，被认为其性能远逊于国际巨头阿斯麦（ASML）的产品。
这种嘲笑背后，实则暴露了对光刻机制造难度与技术复杂性的无知，以及对我国在此领域不懈努力与显著成就的漠视。
我们必须正视光刻机制造的极端复杂性。
光刻机，作为半导体制造的核心设备，其研发与制造涉及光学、精密机械、高精度检测、先进材料等多个前沿科技领域，技术和专利壁垒极高。
全球范围内，能够独立自主研发并生产光刻机的国家屈指可数，这绝非偶然，而是技术实力与综合国力的体现。
假设一个场景：如果美国没有欧洲的技术支持，它能否独立造出光刻机？答案恐怕并不乐观，即便是90nm级别，也可能难以企及。
欧洲的任何一个国家，单独行动也无法完成光刻机的制造，包括看似“落后”的90nm级别。
光刻机的诞生，是全球科技合作与智慧结晶的产物，其制造难度与技术含量不容小觑。
在此背景下，上海微电子自主研发的90nm光刻机，其意义远超过产品本身。
这是我国在光刻机领域迈出的坚实一步，标志着我国具备了自主研发与生产光刻机的能力，这是技术自主与国家安全的重要保障。
尽管与国际先进水平相比仍有差距，但这一步的迈出，无疑是我国在科技自立自强道路上的重要里程碑。
有人或许会以台积电为例，指出其光刻机