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TCL科技申请量子点制备方法专利,减少短链有机溶剂对量子点核表面的晶面活性的影响

发布:2024-06-24 浏览:63

核心提示:金融界2024年6月3日消息,据国家知识产权局公告,TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“量子点及其制备方法、材料筛选方法、发光器件与显示装置“,公开号CN202211515392.6,申请日期为2022年11月。专利摘要显示,本申请公开了一种量子点及其制备方法、材料筛选方法、发光器件与显示装置,所述制备方法包括:提供量子点核溶液;向所述量子点核溶液中加入量子点壳层前驱体进行壳层生长,得到量子点溶液,其中,在加入所述量子点壳层前驱体之前,对所述量子点核溶液进行真空处理;从所述量子点溶液中提取得到量子点;

金融界2024年6月3日消息,据国家知识产权局公告,TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“量子点及其制备方法、材料筛选方法、发光器件与显示装置“,公开号CN202211515392.6,申请日期为2022年11月。
专利摘要显示,本申请公开了一种量子点及其制备方法、材料筛选方法、发光器件与显示装置,所述制备方法包括:提供量子点核溶液;向所述量子点核溶液中加入量子点壳层前驱体进行壳层生长,得到量子点溶液,其中,在加入所述量子点壳层前驱体之前,对所述量子点核溶液进行真空处理;从所述量子点溶液中提取得到量子点;通过在加入所述量子点壳层前驱体进行壳层生长之前,对所述量子点核溶液进行真空处理的操作,得以有效去除量子点核溶液中所存在的短链有机溶剂,从而减少短链有机溶剂对量子点核表面的晶面活性的影响,提升了壳层生长均一性,进而提升了所形成的量子点的粒径均一性。
本文源自金融界

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