红外探测器是一种把红外辐射变成电信号的转换器，分为热探测器和光子探测器两种。
在热探测器中，由于入射辐射的热效应引起器件材料与温度有关参数（如电阻、自发极化强度等）的变化，测量这些参数的变化，可以得到探测器所吸收的红外辐射强度。
而在光子探测器中，吸收的红外辐射直接引发载流子的带间或带内跃迁，从而转化为电信号。
一般来说，光子探测器要比热探测器灵敏的多，当然对器件的材料性能要求也高。
很长时间以来，以碲镉汞（HgCdTe）探测器为代表的窄禁带半导体光子探测器占据了红外探测领域的大部分。
随着人们对量子阱半导体低维结构的认识深入，以Ⅲ-Ⅴ族化合物材料为代表的量子阱红外探测器逐渐表现出优异的稳定性、均匀性、像素可操作性，得到迅速发展和广泛应用，目前QWIP正向大面阵焦平面阵列及多色方向发展。