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揭秘碳化硅,第三代半导体材料核心,应用七大领域,百亿市场空间 | 智东西内参

发布:2024-06-28 浏览:53

核心提示:碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展,碳化硅需求增速可观。本期的智能内参,我们推荐安信证券的报告《市场空间巨大,SiC 国产化趋势加速》,从的市场前景、行业玩家和发展趋势分析碳化硅的国产化趋势。

碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。
碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。
受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展,碳化硅需求增速可观。
本期的智能内参,我们推荐安信证券的报告《市场空间巨大,SiC 国产化趋势加速》,从的市场前景、行业玩家和发展趋势分析碳化硅的国产化趋势。

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