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揭秘第三代半导体碳化硅!爆发增长的明日之星,国产前途无量 | 智东西内参

发布:2024-07-24 浏览:63

核心提示:功率半导体的技术和材料创新都致力于提高能量转化效率(理想转化率100%),基于 SiC 材料的功率器件相比传统的 Si 基功率器件效率高、损耗小,在新能源车、光伏风电、不间断电源、家电工控等有广阔的应用前景。目前 SIC 行业发展的瓶颈主要在于 SIC 衬底成本高(是 Si 的 4-5 倍,预计未来 3-4 年价格会逐渐降为 Si 的 2 倍),同时 SIC MOS 为代表的 SIC 器件产品稳定性需要时间验证。国内外 SIC 产业链日趋成熟,成本也在持续下降,产业链爆发的拐点临近,Yole 预计 SIC

功率半导体的技术和材料创新都致力于提高能量转化效率(理想转化率100%),基于 SiC 材料的功率器件相比传统的 Si 基功率器件效率高、损耗小,在新能源车、光伏风电、不间断电源、家电工控等有广阔的应用前景。
目前 SIC 行业发展的瓶颈主要在于 SIC 衬底成本高(是 Si 的 4-5 倍,预计未来 3-4 年价格会逐渐降为 Si 的 2 倍),同时 SIC MOS 为代表的 SIC 器件产品稳定性需要时间验证。
国内外 SIC 产业链日趋成熟,成本也在持续下降,产业链爆发的拐点临近,Yole 预计 SIC 器件空间将从 2019 年4.8 亿美金到 2025 年 30 亿美金 2030 年 100 亿美金,即 10 年 20 倍增长。
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