今天给大家介绍的是：电池充电器反向保护一、传统处理电源电压反转方法处理电源电压反转有一些众所周知的方法，最明显的解决方案是在电源和负载之间连接一个二极管，但二极管的正向电压会导致功耗增加。
在实际应用二极管并不可取，因为电池在充电时必须吸收电流，在不充电时必须提供电流。
另一种方法是使用 MOS电路，如下所示。
该技术的比在负载侧电路中使用二极管会更好一点，因此电源电压会升压MOS，从而降低压降并显著提高电导。
由于分立NMOS管具有更强的导电性，成本更低，可用性也更高，因此 NMOS 版本比 PMOS 版本好，当电池电压为正时，两个电路中的MOS管均导通，当电池电压反向时，则断开。
PMOS管版本具有较高电势，而 NMOS管版本具有较低电势，因此 MOS管的物理”漏极“成为电源。
MOS管 在两个方向上都能很好地传导电流，因为它们在三极管区域中是电对称的。
使用此方法时，晶体管的最大 VGS 和 VDS 额定值必须高于电池电压。
传统负载侧反接保护不过，该解决方案只适用于负载侧电路，不使用电池充电电路。
电池充电器提供电源，重新启用MOS管，并恢复电池反向连接。
下图显示了正在运行的 NMOS管版本，电池处于故障状态。
带一个电池充电器的负载侧保护电路当电池插入时，电池充电器关闭，并且负载和电池充电器与反向电池安全分离。
当充电器打开时（例如连接输入电源连接器），NMOS 的栅极和源极之间会产生电压，从而提高 NMOS 的传导电流的能力。
下图更详细地描述了这一点。
统电池反向保护方案对电池充电器电路无效尽管负载和充电器受到反向电压保护，但保护性 MOSFET 仍面临高功耗问题。
然后电池充电器变成电池放电器。
当电池充电器为 MOSFET提供足够的栅极支持以吸收充电器电流时，电路将达到平衡。
如果大功率 MOS管 的 VTH 约为 2V，并且充电器可以提供 2V 电流，则电池充电器输出电压将调节在 2V（MOS管 漏 极为 2V + 电池电压） 。
ICHARGE•(VTH+VBAT) 是MOS管中的功耗 ，这会导致 MOS管 加热并从印刷电路板上散热。
该电路的 PMOS 版本也是如此。
下面介绍了此方法的两种替代方法，每种方法都有自己的优点和缺点。
二、N 沟道 MOSFET 设计1、第一种解决方案时使用NMOS隔离器件根据电路算法，如果电池电压超过电池充电器输出电压，则必须禁用隔离MOS管。
在此电路中，MN1 连接在充电器/负载和电池端子之间的电线的低压侧，像上面的 NMOS 管方法中的情况一样。
然而，在电池反向连接的情况下，晶体管 MP1 和 Q1 现在提供禁用 MN1 的检测电路。
通过将电池反接， MP1的