一种拼花石材及拼接工艺申请号 201210215078.6申请日 2012.06.27 申请人 福建溪石股份有限公司 申请人 林水龙 发明人 林水龙技术领域本发明涉及石材拼接技术，特别是指一种拼花石材及拼接工艺。
背景技术石材拼花在现代建筑中被广泛应用于地面、墙面、台面等装饰，以其石材的天然美 （颜色、纹理，材质）加上人们的艺术构想“拼”出一幅幅精美的图案。
其加工原理是 ： 利用计算机辅助绘图软件（如 ：CAD）和计算机数控编程软件（如 ：CNC）将人们设计好的图案 通过 CAD 转化为 NC 程序，然后将 NC 程序传输给数控水切割机，将各种不同的材料用数控水 切割机切割成不同图案的块状片材。
最后再由人工将各个块状片材拼接，并通过粘胶粘接 成整体，完成水刀拼花的加工。
上述传统的拼花拼接工艺，会存在一些不足之处，拼缝内的胶体与各个块状片材间色差肉眼明显可见，严重影响拼花石材的总体美观。
由于石材较硬较脆，一些尖角拼接时，极易崩边，而其加工余量较小，崩边后得不到较理想的修复，缺陷不易修复 ；对拼花技术 要求高，块状片材在拼接时，各个拼缝的宽度不一致，影响产品的观感质量。
发明内容本发明提供一种拼花石材及拼接工艺，其目的在于克服现有的拼接工艺不理想， 影响产品的总体美观度的缺陷。
一种拼花石材，包括由不同图案的块状片材拼接而成的石材本体，还包括装饰线条，所述石材本体上表面的拼缝处开设有与装饰线条相适配的沟槽，该装饰线条位于沟槽内。
进一步的，上述装饰线条的上表面凃敷有呈透明状的保护层。
进一步的，上述装饰线条为通过电镀的方式在沟槽内形成的金属装饰线条。
进一步的，上述装饰线条为通过喷涂颜料的方式在沟槽内形成带有色彩装饰效果 的装饰线条。
进一步的，上述装饰线条为通过化学镀的方式在沟槽内形成的金属装饰线条。
进一步的，上述装饰线条为通过镶金的方式在沟槽内形成的金属装饰线条。
一种拼花石材的拼接工艺，包括如下工序 ： 1）拼花 ：将不同图案的块状片材通过拼接的方式形成石材本体 ； 2）洗槽 ：通过洗槽机在石材本体上表面的各个拼缝处洗出一沟槽 ； 3）修饰 ：通过电镀或化学镀或喷涂颜料或镶金的方式在沟槽内形成一装饰线条 ； 4）防护 ：在装饰线条的上表面凃敷有呈透明状的保护层。
进一步的，在工序 3）修饰中，所述装饰条为金属装饰线条，其通过刷镀的方式在沟 槽内形成。
进一步的，上述保护层为透明漆层或树脂层。
由上述对本发明的描述可知，和现有技术相比，本发明具有如下优点： 本拼花拼接工艺理想，提高了产品的总体美观度和附加价值。
对不同图案的块状片材拼接而成石材 本体的拼接后，进一步地对石材本体上表面的各个拼缝处进行处理，石材本体上表面拼缝 内的胶体得到很好的掩饰，并且其对石材本体的色差有一定的隔断效果，提高了选料的范围，且装饰线条对拼花石材起到了美化和装饰的效果，使得拼花石材总体更加的美观，进而 提高了产品的附加价值。
对拼花技术要求不高，倘若块状片材出现微量的崩边或各个拼缝 的宽度不一致时，由于在各个拼缝处进行洗槽，然后再进行美化处理（如镀金），这样瑕疵得 到再修饰，提高了产品的观感质量。
所述装饰线条利用电镀或喷涂颜料或化学镀或镶金的 方式在沟槽内形成，这样各个拼缝处看不到缝隙，提高了石材的艺术欣赏价值。
附图说明附图 1 为本发明的结构示意图。
附图 2 为本发明中相邻两块块状片材连接的示意图，图中的装饰线条有画出。
附图 3 为本发明中相邻两块块状片材连接的示意图，图中的装饰线条未画出。
具体实施方式 下面参照附图说明本发明的具体实施方式。
参照附图 1、图 2 和图 3。
一种拼花石材，包括由不同图案的块状片材 10 拼接而成 的石材本体 1，还包括装饰线条 2，所述石材本体 1 上表面的各个拼缝处开设有与装饰线条 2 相适配的沟槽 11，该装饰线条 2 位于沟槽 11 内。
该装饰线条 2 为通过刷镀的方式在沟槽 11 内形成的金属装饰线条，该金属装饰线条的上表面凃敷有呈透明状的保护层 3。
一种拼花石材的拼接工艺，包括如下工序 ： 1）拼花 ：将不同图案的块状片材 10 通过拼接的方式形成石材本体 1 ； 2）洗槽 ：通过洗槽机在石材本体 1 上表面的各个拼缝处洗出一沟槽 11 ； 3）修饰 ：通过刷镀的方式在沟槽 11 内形成一金属装饰线条 ； 4）防护 ：在金属装饰线条的上表面凃敷有呈透明状的保护层 3，该保护层 3 为透明漆层 或树脂层 ； 5）磨平 ：将石材本体 1 上表面通过磨机进行打磨，使其上表面平整光滑。
另外，所述装饰线条可以为喷涂颜料、化学镀、镶金等方式在沟槽 11 内形成，其中通过喷涂颜料的方式在沟槽11内形成的为带有色彩装饰效果的装饰线条 ；所述保护层3为 树脂层 ；所述拼花石材的拼接工艺可运用在地板砖、大理石在地面或墙面上的铺设工艺上。
上述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的设计构思并不局限于此，凡利用此 构思对本发明进行非实质性的改动，均应属于侵犯本发明保护范围的行为。
注：
