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纳芯微取得隔离电源芯片及其实现方法专利,提高了芯片的集成度

发布:2024-09-21 浏览:45

核心提示:金融界2024年5月3日消息,据国家知识产权局公告,苏州纳芯微电子股份有限公司取得一项名为“一种隔离电源芯片及其实现方法“,授权公告号CN107437895B,申请日期为2017年8月。专利摘要显示,本发明公开了一种隔离电源芯片及其实现方法,包括:发射芯片和接收芯片,且发射芯片和接收芯片之间通过耐高压的电容C1、C2实现电源的传输和直流共模电平的隔离;所述发射芯片包括第一振荡器、耐高压的电容C1、C2;所述接收芯片包括由MOS管M1~M4组成的整流电路、耐高压的电容C5;所述第一振荡器接电源VDD1,第一

金融界2024年5月3日消息,据国家知识产权局公告,苏州纳芯微电子股份有限公司取得一项名为“一种隔离电源芯片及其实现方法“,授权公告号CN107437895B,申请日期为2017年8月。
专利摘要显示,本发明公开了一种隔离电源芯片及其实现方法,包括:发射芯片和接收芯片,且发射芯片和接收芯片之间通过耐高压的电容C1、C2实现电源的传输和直流共模电平的隔离;所述发射芯片包括第一振荡器、耐高压的电容C1、C2;所述接收芯片包括由MOS管M1~M4组成的整流电路、耐高压的电容C5;所述第一振荡器接电源VDD1,第一振荡器分别与电容C1、C2的负极连接,电容C1、C2的正极分别与整流电路连接,整流电路通过电容C5接电源VDD2。
本专利采用耐高压的电容实现电源的传输和直流共模电平的隔离,提高了芯片的集成度。
而且本专利的电源芯片的结构以及实现方法既适合开环结构,又适合闭环结构的系统。
在满足两个系统之间电源隔离的情况下,又节省了芯片的面积和功耗。
本文源自金融界

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