MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管），属于绝缘栅型。
特点：金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。
它也分N沟道管和P沟道管。
通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。
MOS场效应管的基本结构和工作原理 MOS场效应三极管分为：增强型（又有N沟道、P沟道之分）及耗尽型（分有N沟道、P沟道）。
N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见图1。
其中：电极 D（Drain） 称为漏极，相当双极型三极管的集电极； 电极 G（Gate） 称为栅极，相当于的基极； 电极 S（Source）称为源极，相当于发射极。
1、N沟道增强型MOSFET （1）结构 根据图1，N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。
在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。
P型半导体称为衬底，用符号B表示 （2）工作原理 ① 栅源电压VGS的控制作用 当VGS＝0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。
当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS（th）时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。
耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，将漏极和源极沟通，所以仍然不足以形成漏极电流ID。
进一步增加VGS，当VGS＞VGS（th）时（ VGS（th） 称为开启电压），由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。
如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。
在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层。
随着VGS的继续增加，ID将不断增加。
在VGS＝0V时ID＝0，只有当VGS＞VGS（th）后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。
VGS对漏极电流的控制关系可用iD＝f（vGS）|VDS＝const这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图2。
转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。
gm 的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。
跨导的定义式如下： gm＝△ID/△VGS|VDS=const （单位mS） （1） ②漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 当VGS＞VGS（th），且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS对漏极电流ID的影响。
VDS的不同变化对沟道的影响如图33所示。
根据此图可以有如下关系 VDS＝VDG＋VGS＝ －VGD＋VGS VGD＝VGS－VDS 当VDS为0或较小时，相当VGD＞VGS（th），沟道分布如图3 （a），此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。
在紧靠漏极处，沟道达到开启的程度以上，漏源之间有电流通过。
当VDS增加到使VGD＝VGS（th）时，沟道如图3（b）所示。
这相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断，此时的漏极电流ID基本饱和。
当VDS增加到VGD＜VGS（th）时，沟道如图3 （c）所示。
此时预夹断区域加长，伸向S极。
VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， ID基本趋于不变。
当VGS＞VGS（th），且固定为某一值时，VDS对ID的影响， 即iD＝f（VDS）|VGS＝const这一关系曲线如图4所示。
这一曲线称为漏极输出特性曲线。
2、N沟道耗尽型MOSFET N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图5（a）所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。
所以当VGS＝0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。
于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。
当VGS＞0时，将使ID进一步增加。
VGS＜0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID＝0。
对应ID＝0的VGS称为夹断电压，用符号VGS（off）表示，有时也用VP表示。
N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线如图5（b）所示。
3、P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。
这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。
MOS场效应管检测方法 1、准备工作 测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。
最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。
再把管脚分开，然后拆掉导线。
2、判定电极 将万用表拨于R&TImes;100档，首先确定栅极。
若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。
交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。
日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。
3、检查放大能力（跨导） 将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。
双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。
为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
mos场效应管和结型场效应管有什么区别 mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。
结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。
所以输入电阻不及mos场效应管.