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中国西电申请真空灭弧室和真空开关专利,主屏蔽罩能够产生所需的纵向磁场

发布:2024-06-10 浏览:36

核心提示:金融界2024年5月29日消息,据国家知识产权局公告,西安西电开关电气有限公司,中国西电电气股份有限公司申请一项名为“真空灭弧室和真空开关“的专利,公开号CN202410455134.6,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,该专利公开了一种真空灭弧室和真空开关,真空灭弧室包括:绝缘外壳,均设置于绝缘外壳内的静触头和动触头,固定于绝缘外壳内的主屏蔽罩;主屏蔽罩包括线圈闭合回路,线圈闭合回路包括螺旋线圈,螺旋线圈包围动触头的动触头端和静触头的静触头端;静触头和动触头沿螺旋线圈的轴向依次分布;在短路电流流经

金融界2024年5月29日消息,据国家知识产权局公告,西安西电开关电气有限公司,中国西电电气股份有限公司申请一项名为“真空灭弧室和真空开关“的专利,公开号CN202410455134.6,申请日期为2024年4月。
专利摘要显示,该专利公开了一种真空灭弧室和真空开关,真空灭弧室包括:绝缘外壳,均设置于绝缘外壳内的静触头和动触头,固定于绝缘外壳内的主屏蔽罩;主屏蔽罩包括线圈闭合回路,线圈闭合回路包括螺旋线圈,螺旋线圈包围动触头的动触头端和静触头的静触头端;静触头和动触头沿螺旋线圈的轴向依次分布;在短路电流流经真空灭弧室的情况下,螺旋线圈产生感应电流,感应电流流经螺旋线圈产生感应磁场,感应磁场为纵向磁场。
这样,主屏蔽罩能够产生所需的纵向磁场,基于此,动触头与静触头均无需进行特殊结构设计,可以简化动触头与静触头的结构,例如选择动触头与静触头均为平板触头结构,提升了真空灭弧室的通流能力,方便了真空灭弧室在高电压等级的使用。
本文源自金融界

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