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晶合集成申请BSI图像传感器及其制备方法专利,降低器件晶圆翘曲度提升键合成功率

发布:2024-09-27 浏览:64

核心提示:金融界2024年4月10日消息,据国家知识产权局公告,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种BSI图像传感器及其制备方法“,公开号CN117855240A,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,本发明提供一种BSI图像传感器及其制备方法,制备方法包括以下步骤:提供器件晶圆和载体晶圆,器件晶圆包括第一键合面,载体晶圆包括第二键合面;在第一键合面上依次形成第一氧化层、应力膜层和第二氧化层;器件晶圆和载体晶圆进行键合,且第二氧化层朝向所述第二键合面设置。本发明通过在器件晶圆的第一键合面上增设一应力膜层

金融界2024年4月10日消息,据国家知识产权局公告,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种BSI图像传感器及其制备方法“,公开号CN117855240A,申请日期为2024年3月。
专利摘要显示,本发明提供一种BSI图像传感器及其制备方法,制备方法包括以下步骤:提供器件晶圆和载体晶圆,器件晶圆包括第一键合面,载体晶圆包括第二键合面;在第一键合面上依次形成第一氧化层、应力膜层和第二氧化层;器件晶圆和载体晶圆进行键合,且第二氧化层朝向所述第二键合面设置。
本发明通过在器件晶圆的第一键合面上增设一应力膜层可以取得意料不到的技术效果:可以降低器件晶圆因设计造成的翘曲度,有利于器件晶圆和载体晶圆之间键合工艺的正常进行,从而提升了键合成功率;同时可以有效降低BSI图像传感器在键合前和键合后的翘曲度,简化了现有技术中繁琐的工艺流程,减少了这些工艺所需要的设备,从而降低了成本。
本文源自金融界

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