金融界2024年1月26日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“场效应管、其制备方法、功率放大器及电子电路“，公开号CN117461140A，申请日期为2021年6月。
专利摘要显示，本申请公开了一种场效应管、其制备方法、功率放大器及电子电路。
场效应管包括：SiC衬底、第一AlN层、第一GaN层、第一AlGaN层、第二GaN层、第二AlGaN层、源极、漏极和栅极。
SiC衬底、第一AlN层、第一GaN层、第一AlGaN层、第二GaN层以及第二AlGaN层依次层叠设置，源极、漏极和栅极均设置于第二AlGaN层背离第二GaN层一侧。
本申请在第一AlN层和第一AlGaN层之间插入第一GaN层，由于AlN和GaN的晶格常数差异相较于AlN和AlGaN更大，因此晶格失配引入的压应力更大，引入第一GaN层的场效应管可以更有效地补偿张应力，从而改善场效应管中外延片面临的较大翘曲度的问题。
本文源自金融界